DMN24H11DS-7 与 BSS131 H6327 区别
| 型号 | DMN24H11DS-7 | BSS131 H6327 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMN24H11DS-7 | A-BSS131 H6327 |
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1.2W | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 11Ω | 14Ω@100mA,10V |
| 上升时间 | 4.7ns | - |
| 漏源极电压Vds | 240V | 240V |
| 产品特性 | - | 车规 |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 360mW |
| Qg-栅极电荷 | 3.7 nC | - |
| 典型关闭延迟时间 | 17.5ns | - |
| 栅极电压Vgs | 1V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | - | SOT-23 |
| 连续漏极电流Id | 270mA | 110mA |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~150°C |
| 配置 | Single | - |
| 通道数量 | 1 Channel | - |
| 下降时间 | 102.3ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 4.8ns | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 3,000 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 5天 |
| 单价(含税) | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMN24H11DS-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 270mA 11Ω 240V 1V -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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BSS131 H6327 | Infineon | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT-23 N-Channel 14Ω@100mA,10V 360mW -55°C~150°C ±20V 240V 110mA 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
|
BSS131H6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
N 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |